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氮化镓
- 英文名称:GALLIUM NITRIDE
- 品牌:颖心实验室
- 产地:上海
- cas:25617-97-4
- 价格: ¥$3,600.00/元
- 发布日期: 2023-04-13
- 更新日期: 2024-12-25
产品详请
| 产地 | 上海 |
| 品牌 | 颖心实验室 |
| 货号 | |
| 用途 | 实验生产 |
| 包装规格 | 25g |
| CAS编号 | 25617-97-4 |
| 纯度 | 99.99% metals basis% |
| 是否进口 | 否 |
中文名称:氮化镓
中文别名:一氮化镓
CAS No:25617-97-4
EINECS号:247-129-0
分子式:GaN
沸点:decomposes at >600℃ [KIR78]
折射率:2.70 (27℃)
密度:6.1
外观Powder
用途:第三代半导体材料以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、金刚石为代表,是5G时代的主要材料,其中氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)的市场和发展空间最大。 氮化镓作为第三代半导体材料,有更高的禁带宽度,是迄今理论上电光、光电转换效率最高的材料体系,下游应用包括微波射频器件(通信基站等),电力电子器件(电源..
安全说明:22-24/25
中文别名:一氮化镓
CAS No:25617-97-4
EINECS号:247-129-0
分子式:GaN
沸点:decomposes at >600℃ [KIR78]
折射率:2.70 (27℃)
密度:6.1
外观Powder
用途:第三代半导体材料以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、金刚石为代表,是5G时代的主要材料,其中氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)的市场和发展空间最大。 氮化镓作为第三代半导体材料,有更高的禁带宽度,是迄今理论上电光、光电转换效率最高的材料体系,下游应用包括微波射频器件(通信基站等),电力电子器件(电源..
安全说明:22-24/25
